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    八零友创集团0755-88917717/88917797/88279729███【坚持原装正品】████ 和我即时交谈 和我即时交谈

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    DMN2027LK3-13优势库存

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    DMN2027LK3-13 优势现货代理热销

    厂家Diodes Incorporated
    批号2020+
    数量71806
    封装TO-252-3

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  • TO-252-3 
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DMN2027LK3-13产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 11.6A(Ta) 2.14W(Ta) TO-252-3

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9.1nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):857pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.14W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252-3

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:DMN2027LK3-13DITR DMN2027LK313

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